薄膜壓電超聲換能器包括具有硅杯結(jié)構(gòu)的硅基片，位于該硅基片上的支撐層以及位于支撐層上的N個(gè)壓電換能單元；其特征在于，產(chǎn)品的硅基片的硅杯結(jié)構(gòu)上部具有選擇性摻雜層，該選擇性摻雜層上具有N個(gè)與產(chǎn)品的壓電換能單元相對應(yīng)的通孔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本產(chǎn)品能否達(dá)到以下技術(shù)效果：本產(chǎn)品可以用常規(guī)的體硅刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)密排陣元的薄膜壓電換能器陣列，該陣列的陣元間距不受陣元間側(cè)墻厚度及傾角的限制，可根據(jù)陣列設(shè)計(jì)需要任意調(diào)整。

超聲換能器包括:與一壓縮裝置連接的安裝裝置安裝在產(chǎn)品的安裝裝置和產(chǎn)品的壓縮裝置之間的晶堆和設(shè)置在產(chǎn)品的晶堆與產(chǎn)品的壓縮裝置之間的后質(zhì)量塊;其特征在于:產(chǎn)品的晶堆接觸端面和產(chǎn)品的壓縮裝置接觸端面均為平面且形狀大小相同;產(chǎn)品的壓縮裝置具有與產(chǎn)品的后質(zhì)量塊接觸的后質(zhì)量塊接觸面產(chǎn)品的后質(zhì)量塊接觸面相對于產(chǎn)品的壓縮裝置接觸端面的幾何中心是中心對稱的產(chǎn)品的后質(zhì)量塊接觸面的面積小于產(chǎn)品的壓縮裝置接觸端面的面積。本產(chǎn)品通過改進(jìn)后質(zhì)量塊的對稱性改善超聲換能器中應(yīng)力分布的均勻性從而提高超聲換能器的效率。